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华微电子:增发项目将是未来的盈利增长点
2008-04-14 16:31:36更新 来源:上海证券 作者:邓永康
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公司动态和点评:
业绩符合我们的预期:2007年公司实现营业收入115,109.08万元,比上年同期增长26.94%;实现营业利润18,776.63万元,比上年同期增长了27.53%;实现归属于上市公司股东的净利润15,818.26万元,比上年同期增长31.19%;实现基本每股收益0.67元,扣除非经常性损益后的加权平均净资产收益率为14.95%。
毛利率小幅下跌:公司2007年的毛利率为20.27%,比上年同期下降了1.24个百分点。2007年,国际经济增长的放缓影响了整个半导体行业的发展。我国半导体企业主要生产低端产品,技术含量较低,竞争激烈,产品价格出现明显下降。但由于太阳能电池对单晶硅的需求快速增长,单晶硅的价格大幅上涨,提高了公司的原材料成本。针对原材料价格的上涨,公司通过与供应商多年良好的合作关系,积极争取较低的单晶价格;积极关注铜价的变化,降低框架的采购成本;通过加强谈判,引进其他供应商的竞争,降低化剂、塑封料等材料的采购成本,以抵消单晶价格上涨的成本压力。另外,公司重点发展芯片生产,避免与其他后道封装企业进行恶性价格竞争,保证了产品较高的利润率。同时加快中高端产品的研发过程,加大具有自主知识产权的新产品的生产规模。由于公司产品的技术附加值的增加很大程度上减少了原材料价格上涨对公司盈利能力的影响。
通过技术创新优化产品结构:公司以市场需求为导向,通过技术创新不断优化产品结构。公司顺应功率器件产品向节能高效型升级换代的要求,大力开发MOSFET系列产品,目前已经研发成功三种规格六类型号的MOSFET产品,性能达到国际同行业先进水平。公司开发的三个型号的可控硅产品也已经具备了外部送样条件。在电光源领域,公司开发了高压产品,并在07年上半年进行市场推广,目前主要客户每月销售量已达十几万只,是未来新的增长点。另外,肖特基产品技术成熟,产品实现了系列化,有广阔的市场前景。公司在2008年将研发VDMOS、IGBT和PIC等新型功率半导体器件产品,并开发肖特基特殊功率器件、VDMOS功率器件、软快恢复二极管系列、双极集成电路等高端产品。
进一步扩大生产规模。2007年,公司通过对原有生产场地的规划与重新布局,添置新设备,材料片从月产9万片上量至月产12万片,2007年公司芯片加工能力达到年产220余万片。
在芯片生产的基础上,公司加强后部封装工序规划,无锡吉华电子有限责任公司已于2006年底投产,经过一年稳定运行,无锡吉华电子产能在原有基础上提升了33%。另外公司的全资子公司吉林麦吉柯半导体有限公司通过与美国仙童公司合作,引进了先进的生产技术与管理经验,取得长足进步,2007年实现净利润3,316万元。
估值影响..新型功率半导体器件前景广阔。MOSFET新型功率半导体器件具有驱动功率小、开关损耗少、热稳定性高、收入阻抗高、易于关联、无二次击穿等双极型功率半导体器件无可比拟的优点,在市场上占据了较高的市场分额,广泛应用于包括消费类电子、计算机、工业控制、网络通讯、汽车电子、电力设备等各种领域,在国内和国际市场上都有较大的需求。
公司目前国际、国内半导体器件尤其是新型半导体器件有着广阔而稳定的市场。2008年至2011年,我国的MOSFET市场需求额年均复合增长率为17.7%,预计到2011年我国MOSFET市场销售数量和销售额将分别达到364.8亿只和408亿元。公司增发2,480万A股,募集资金2.95亿元投资建设一条六英寸新型功率半导体器件生产线。在项目建成后,可形成年产新型功率半导体器件48万片(月产4万片,其中:VDMOS2.8万片/月,IGBT0.6万片/月,PIC0.6万片/月)的生产能力,并预留一定空间,以便将来扩产至72万片/年的生产规模。
维持投资评级,目标价格为24.00元。考虑到增发摊薄,我们预计08~09年公司EPS分别为0.80元和1.02元,动态PE值分别为24.88倍和19.51倍,我们给予华微电子投资评级:
未来六个月内,跑赢大市;目标价格为24.00元/股。
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